BIOGRAFÍA
Ignasi Fina Martínez (Barcelona, 1982) es investigador Ramón y Cajal en el Institut de Ciencia de Materiales de Barcelona (ICMAB-CSIC). Su carrera se ha centrado en el estudio de óxidos y de antiferromagnetos metálicos, ambos en forma de lámina delgada, en el marco de distintas áreas de investigación: multiferroicidad, fotovoltaica y computación neuromórfica. Realizó su tesis doctoral en el (ICMAB-CSIC), y ha completado tres años de estancias postdoctorales en el instituto Max Planck en Alemania, la Universidad de Warwick en Reino Unido y el ICN2 en Barcelona. Ha sido investigador y co-investigador principal de varios proyectos internacionales.
PROYECTO
Los sensores ópticos neuromórficos, en los que coexisten percepción, almacenaje y lógica, son fundamentales en el desarrollo de productos basados en la inteligencia artificial, como vehículos autónomos o robots. Este tipo de sensores podrían consistir en un tipo de dispositivo llamado memristor, con ciertas características. El desarrollo de estos memristores permitiría simplificar la complejidad de la circuitería requerida actualmente en los sensores ópticos neuromórficos en desarrollo. Este proyecto pretende desarrollar memristores basados en materiales ferroeléctricos modulables mediante campo eléctrico y luz, con la finalidad de ser integrados en sistemas de visión neuromórfica.